Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111)

При создании таких структур важно знать процессы происходящие на поверхности в процессе роста.После роста первого монослоя меняется реконструкция поверхности 7х7-5х5.В последние годы наблюдается возрастание интереса к поверхности твердого тела.Рост идет в основном за счет разрастания двумерных зародышей.Затем островки двумонослойной высоты срастаются, после чего идет обычный послойный рост.Осцилляции интенсивности имеют место при реализации двумерно-слоевого роста.Скорость роста германия и кремния в экспериментах составляла 0.02 нм/сек.Транспортный узел предназначен для перемещения рейки с подложками из МЗВ в камеру роста.При этом ведется наблюдение дифракционной картины поверхности подложки.Данная система подготовки поверхности производится один раз.