Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя

Тема: Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя.На основе рассчитанных элементов был разработан эскиз топологии ИМС широкополосного усилителя.Проектирование топологии ИМС широкополосного усилителя.Объект разработки: топология ИМС широкополосного усилителя.В диапазоне номиналов от 100 Ом до 50 кОм резисторы изготовляют на основе базового слоя микросхемы.При проектировании топологии усилителя использовалось один слой металлизации.3 Разработка библиотеки элементов широкополосного усилителя.4 Основные правила проектирования топологии ИМС.Разработка эскиза топологии ИМС широкополосного усилителя.Эскиз топологии ИМС широкополосного усилителя.