Расчёт параметров полупроводниковых приборов

Полупроводниковый диод транзистор прибор.Значение параметров µmax, µmin, N, Nref.Расчетное задание 1.Значения для расчета по этой формуле возьмем из таблицы 1.1.Результаты вычислений параметров биполярной структуры транзистора с резким p-n переходом.= 1,5*1017 (см-3) .= 4*1015 (см-3) .Так как Т = 300, то Тn = 1.Nap = 4,3*1015 .Рассчитаем значения ?k при температурах T = 250К и T = 400К.