Малошумящий интегральный усилитель

1 Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем.2 Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров.Проектируемый усилитель может быть выполнен на одном или более каскадах.При проектировании усилителя нужно обеспечить минимальный коэффициент шума.Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки.Интегральные устройства радиоэлектроники.Исходные данные усилителя.1 Реализовать усилитель в бескорпусном однокристальном исполнении.Функциональное проектирование усилителя.Транзистор полевой малошумящий.