Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния

Различают объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы.Диффузионные резисторы изолированы от остального объема полупроводника p-n-переходом.Кроме разброса по номиналу диффузионные резисторы обладают существенной температурной зависимостью.Основным фактором, ограничивающим мощность рассеяния, является нагрев резистора в процессе работы.Для диффузионных резисторов предельной считается мощность 50 мВт/мм2.Благодаря наличию обратносмещенного перехода диффузионный резистор имеет распределенную емкость.Сопротивление диффузионного резистора.С учетом выражения (4) сопротивление диффузионного резистора.Диффузия кремний полупроводниковый резистор.По этой причине используют в основном эмиттерные или базовые слои.