Транзисторы на горячих электронах

Транзисторы с инжекцией горячих электронов.Транзисторы, в которых используются оба вида носителей, дырки и электроны, называются биполярными.Агаханян Т. М. Основы транзисторной электроники.Электрон горячий сверхпроводник транзистор.Величина начальной скорости инжектированных электронов определяется структурой барьера эмиттер-база.Инжектированный пучок электронов имеет относительно малую ширину разброса по шкале энергий.Работа полевого транзистора с отрицательным сопротивлением - ПТОС - основана на этом принципе.Рисунок 3 - Схематическое изображение структуры ПТОС - транзистора.В них много кристаллических дефектов и примесей, рассеивающих электроны.Оказывается, что межэлектронные столкновения при этом происходят гораздо чаще.