Субмикронные полевые транзисторы с барьером Шоттки

Была реализована численная модель расчета субмикронного полевого транзистора с барьером Шоттки.3 Электронный транспорт в субмикронном транзисторе с барьером Шоттки.Полупроводник субмикронный полевой транзистор.Носителями зарядов в полевом транзисторе являются заряды одного знака - электроны.Выходные характеристики транзистора с длиной 1 мкм.Затвор 4 используется для управления током транзистора с помощью внешнего сигнала.Ости и надёжности транзистора.3 Баллистический транспорт в полупроводниках и субмикронных приборах.Исследование Характеристики Субмикронных Структур.Переходные характеристики транзистора с длиной 1 мкм.