Исследование биполярного транзистора в статическом режиме

Структура биполярного транзистора и их условно - графическое изображение (УГО).Принцип действия обоих типов транзисторов одинаков.В реальных транзисторах площади p-n переходов существенно различаются.На рис.3.2. активная область транзистора показана в горизонтальном положении.Следовательно, транзистор способен усиливать мощность, т.е. является усилительным прибором.Основные физические процессы в плоскостном транзисторе.Принцип действия транзисторов.Распределение токов в транзисторе Согласно 5.Составитель: Мукан Ж.Б.Астана - 2012г.