Исследование статического элемента памяти запоминающего устройства с произвольной выборкой

2, а приведена функциональная схема ЭП ЗУ с произвольной выборкой.Память интегральный переключательный биполярный.Следовательно, вторые эмиттеры закрыты.Режим записи осуществляется, когда UA = U1A.Напряжение на р-n переходе база - эмиттер транзистора T1.Для отпирания транзистора T1 напряжение на входе D необходимо уменьшить до величины.UK2 = f (UD) .Т.к. задаем UA = U1A = UИП, то ЭП (рис.1) опять будем рассматривать в виде рис.4.Исходное состояние UD = 0, Uon > 0. Следовательно транзистор Т1 открыт и насыщен.I0Dсч, I1Dсч - ток протекающий по цепи управления в режиме считывания и I.