Технология эпитаксиальных пленок InAs

Схема установки для получения эпитаксиальных пленок InAs в системе In-AsCl.Температурный профиль процесса эпитаксиального роста InAs из жидкой фазы. Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок..Схема установки для наращивания эпитаксиальных слоев InAs с помощью системы In-HCl-AsH.Рис. 4. Схема установки для эпитаксиального наращивания InAs с использованием системы InAs-SiCl.Эпитаксиальный арсенид индия - перспективный материал электронной техники.1-печь; 2-первый источник InAs; 3-второй источник InAs; 4-подложка.Результаты сравнения различных методов эпитаксиального выращивания приведены в табл.Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок/ Под ред.Палатник Л. С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки.