Кремний, полученный с использованием геттерирования расплава

Физическая модель процесса внутреннего геттерированияв кремниевой технологии .Источником обнаруженного оптически активного кислорода, по-видимому, служит тигель (Si0,) .Г>700°С. Однако эти представления не являются универсальными, что было доказано рядом исследований.1, непосредственно окружающая кристалл, рассматривается как дискретная.Область 3, наиболее удаленная от дефекта, представляется как упругий континуум.Дивакансия состояла из двух вакансий в положениях (0,0,0) и (1/2, 1/2,0) .Результаты расчетов приведены в таблице.Результмы расчетов компонент тензора объемных деформаций для моно- и днвакансии .Диффузионная модель процесса ВГ.Для количественного представления эффективности процесса ВГ на рис.