Электронно-дырочные гетеропереходы и их отличия от гомопереходов
Использование твердотельной микроэлектронной групповой технологии.Контакт двух различных по химическому составу полупроводников.Г. и монопереходов образуют гетероструктуры.Образование Г., требующее стыковки крист.Наиболее широко применяются монокристаллич.Г. используются в разл.ПП приборах: ПП лазерах, светоизлучающих диодах, фотоэлементах, оптронах и т.д.Разработками данной проблемы занимался выдающийся советский ученый Ж.И. Алферов.Первоначально теория развивалась существенно быстрее, чем практическая реализация устройств.К нашему времени разработано много методов такого выращивания.
Скачать Электронно-дырочные гетеропереходы и их отличия от гомопереходов
Скачать документ
(Если ссылка на скачивание файла не доступна - дайте нам знать об этом в комментариях либо через форму обратной связи)