Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Таким образом, IGBT имеет три внешних вывода: эмиттер, коллектор, затвор.Таким образом, полевой транзистор управляет работой биполярного.По быстродействию IGBT уступают MOSFET, но значительно превосходят биполярные.Такими качествами не обладают биполярные транзисторы, соединённые по схеме Дарлингтона.Схематичный разрез структуры IGBT показан на рис.Затвор имеет вывод, включаемый в цепь управления.Ток управления IGBT мал, поэтому цепь управления - драйвер конструктивно компактна.Наиболее целесообразно располагать цепи драйвера в непосредственной близости от силового ключа.В модулях IGBT драйверы непосредственно включены в их структуру.Это особенно важно при работе транзисторов на высоких частотах.