Тонкопленочные элементы интегральных схем

Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем.Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Получение тонкопленочных элементов микросхем Б.С. Данилов.Нельзя оптимизировать параметры одного элемента, не изменив одновременно характеристики других.Схемы, изготовленные по совмещенной технологии, имеют целый ряд несомненных достоинств.| | | |подлож| | | | | |.| | | |ки и | | | | | |.| | | |осажда| | | | | |.Концентрация заряженных частиц тем выше, чем больше ток эмиссии катода и больше скорость испарения.500-550°С для получения низкоомного контакта.