Создание низкоразмерной среды в арсениде галлия для устройств микро- и наноэлектроники

Арсенид галлия как перспективный материал микро- и наноэлектроники.Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия.Рисунок 11 - Электронная микроскопия образца пористого арсенида галлия n-типа проводимости.Монокристаллы арсенида галлия, легированные хромом, используют в инфракрасной оптике.Пористый арсенид галлия получают путём электрохимического анодирования монокристаллического GaAs.В таблице 1 приведены наиболее распространённые составы селективных травителей для арсенида галлия.Эта стадия контролирует процесс анодного растворения арсенида галлия.На рисунке 9 представлены фотографии сколов пластин арсенида галлия с пористым слоем.Исследована спектральная зависимость фотоответа образцов пористого арсенида галлия.Горячев, Д.Н. Фотолюминесценция пористого арсенида галлия [Текст] / Д.Н. Горячев, О.М. Сресели.