Применение арсенида галлия в микроэлектронике

История развития арсенида галлия.Арсенид галлий транзистор.В настоящее время более 90% всех полупроводниковых приборов изготовляется на основе кремния.Создание технологии производства приборов на GaAs началось в начале 50-х годов.Этот метод позволяет выращивать кристаллы исключительно высокой степени чистоты.В 1965 г. были изготовлены первые ЛПД, в которых использовались p-n-переходы.В 1974 г. было сообщено об использовании полевых транзисторов на GaAs в цифровых схемах.Существует много перспектив развития технологии изготовления интегральных схем на основе GaAs.Три основные кристаллические плоскости решетки GaAs показаны на рис.Каждый атом As на поверхности (100) имеет две связи с атомами Ga из лежащего ниже слоя.