Ключевые элементы на биполярних транзисторах
Еще один режим работы транзистора, относящийся к ключевому, носит название режима отсечки.Рис.1. Модель биполярного транзистора в ключевом режиме.Насыщение транзистора принято оценивать коэффициентом насыщения.Время рассасывания сильно зависит от степени насыщения транзистора.Для наиболее быстрых силовых транзисторов время рассасывания составляет 0,1...0,5 мкс.Коммутационные процессы в транзисторе определяют динамические потери при его переключении.Слишком большие активные потери могут перегреть транзистор, и он пробьется.Предположим, что мы имеем параллельное соединение двух транзисторов - VT1 и VT2.= 0,5 В. Сопротивления транзисторов в открытом состоянии считаем примерно одинаковыми.Перечислим причины выхода из строя биполярных транзисторов.
Скачать Ключевые элементы на биполярних транзисторах
Скачать документ
(Если ссылка на скачивание файла не доступна - дайте нам знать об этом в комментариях либо через форму обратной связи)