Электрофизические свойства Ge и Si

Основные электрофизические свойства Ge и Si, мелкие акцепторные и донорные уровни.1 Электрофизические свойства кремния.2 Электрофизические свойства германия.Скорость насыщения vнас является важнейшим электрофизическим параметром полупроводника.Электрофизический полупроводник кремний германий.Что сокращает время сканирования слитка.Все это привело к неизбежной и быстрой замене германиевых полупроводников на кремниевые.При этом подвижность mт уменьшается с ростом температуры по закону mт ~T -3/2.В кремнии при Т=300 К для электронов vнас=105 м/c, а для дырок vнас=8Ч104 м/c.С изменением содержания примесей смещается и температура перехода к собственной электропроводности.