Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического ...

Технология получения чистого полупроводникого кремния на данный момент отработана достаточно хорошо.Очистка кремния методом вакуумной сублимации.Так же ими получены данные химического анализа исследуемых нами образцов.Институт применял метод рафинирования (двойная перекристаллизация методом Стокбаргера) .Электрофизические параметры образцов приведены в таблице 1.Электрофизические параметры и зависимость их от технологий производства….6.Анализ результатов позволяет сделать некоторые выводы о зависимости от параметров.Тор осуществляется нагрев в ростовой печи происходит испарение примесей t плав.Скорость роста при этом лежит около 0.8 см/час.Необходимо представлять кинетику происходящих в полупроводнике процессов.