Марка ФГДЦЧ-5-17 означает фосфид галлия, дырочный типа проводимости, легированный цинком.Кристаллизуется в кубической решетке типа сфалерита.%. Определить выход годного материала.Рассчитать изменение степени компенсации по длине кристалла.Концентрация носителей заряда задана 5×1017 см-3.В качестве легирующих примесей используем теллур (VI группа) и цинк (II группа) .Фосфид галлия (GaP) является представителем класса сложных полупроводников AIIIBV.Монокристаллы GaP выращивают методом Чохральского.Их ориентация [111] и [100] с отклонением менее ±1°.Этот же оксид получается при нагреве теллура на воздухе и его сгорании.