Технология изготовления схемы интегрального усилителя

Анализ схемы и разработка технологии изготовления интегрального усилителя.Смирнова К.И. Технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.Выбор материалов для изготовления интегрального усилителя.Парфенов О.Д. Технология микросхем- Москва: Высшая школа,1986 г.Интегральный усилитель окисление диффузия.Окисление проводится при температуре по комбинированной технологии.Поэтому для углубления знания предлагается разработка схемы интегрального усилителя.В промышленных условиях кремний наиболее широко используется для изготовления полупроводниковых ИМС.Металлизация - процесс создания контактов и внутрисхемных соединений.Точность изготовления фотошаблона определяется точностью используемого оборудования.