Технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем

Технология изготовления кристаллов МОП-ИМС во многом схожа с технологией биполярных ИМС.Отличие при этом обусловлено рядом конструктивно-технологических особенностей самих МОП-ИМС.МДП-ИМС изготавливают по планарной технологии.1 Описание технологического процесса.4 Основные технологические операции.Рисунок 3 - Последовательность технологических операций производства МОП-транзистора с диодом Шоттки.Транзистор интегральный схема.Для полевого транзистора с изолированным затвором возможно его сочетание с диодом Шоттки.Далее на полученную подложку наносится маскирующий слой диоксида кремния (рисунок 3, б) .В последствии выращивается дополнительный слой диоксида кремния.