Омический контакт металл-карбид кремния

Технология формирования омических контактов к карбиду кремния.Оборудование, используемое для изготовления омических контактов к карбиду кремния.В качестве испаряемого металла для карбида кремния n-проводимости, исходя из теории, был выбран Ni.Васильев Й.Г., Боева Г.Г., Рыжиков И.В. Напыленные контакты к карбиду кремния.2 Технология изготовления омических контактов к n-SiC.Так в применение попал новый полупроводниковый синтетический материал Карбид кремния.Аналогичная ситуация наблюдается и при формировании омических контактов к p-6H-SiC [7, 8, 9] .Кремния карбид (карборунд) , SiC.Чистый карбид кремния стехиометрического состава - бесцветные кристаллы с алмазным блеском.Использовался монокристалл карбида кремния n-типа проводимости.