Определение группы соединения трехфазного трансформатора

2 Технология изготовления омических контактов к n-SiC.Письма в ЖТФ.Технология формирования омических контактов к карбиду кремния.Silicon Carbide and Related Mat.За последние десять лет в области науки и производства сделан большой скачек.Более заметен он в области электроники.Сверхточные измерения делаются сейчас с использованием подобных приборов.Сначала в науке возникает проблема, а как следствие потребность в новых элементах.Так в применение попал новый полупроводниковый синтетический материал Карбид кремния.Аналогичная ситуация наблюдается и при формировании омических контактов к p-6H-SiC [7, 8, 9] .