Физические основы полупроводниковых приборов

На электропроводность полупроводников значительное влияние оказывает температура.Переходе возникает потенциальный барьер, который препятсвует диффузии основных носителей зарядов.Переход любой не основной носитель заряда, появившийся в этом поле.Ом ∙ см, полупроводников - ρ = 10.Область на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности называется электронно.Внешнее поле оттягивает основные носители зарядов от.Выведение не основных носителей через.Ом ∙ см и выше.В валентной зоне каждого атома германия и кремния имеется по четыре валентных электрона.Германий и кремний имеют атомные кристаллические решетки.