Туннелирование в микроэлектронике

При туннелировании полная энергия электрона не меняется.Снижение высоты барьера повышает вероятность туннелирования.Теоретические основы микроэлектроники.Физические основы конструирования, технологии РЭА и микроэлектроники.Физико-химические основы микроэлектроники и технологии РЭС и ЭВС.Проявление В Неоднородных Структурах, Использование В Устройствах Микроэлектроники.Туннелирование при отсутствии внешнего поля.Туннелирование при наличии внешнего поля.Амплитуда этой волны.Минск 2001 г.