Физические основы микроэлектроники

Дисциплина: Физические основы микроэлектроники.При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе.Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме.Рис.2. К пояснению процесса формирования слоя накопления в однородно легированном GaAs.Под катодом понимается контакт к образцу, на который подан отрицательный потенциал.Рис.3. К пояснению процесса формирования дипольного домена.На тему: Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме.На падающем участке примерно втрое ниже, чем подвижность в слабых полях.Длина образца между контактами.Концентрация электронов в исходном n-GaAs.