Физические свойства плёнок Cu для тонкопленочных фотопреобразователей

Большой площади с заданными свойствами.Исследования фазового состава пленок Cu (In, Ga) (S, Se).Первая стадия проводилась при температуре около 250 °С в течение 10 мин.Вторая стадия (рекристаллизация) проводилась в течение 20 мин.2 (а) и 2 (б) , соответственно.Распределение компонент в этих слоях является достаточно однородным.Наблюдаемые отклонения могут быть обусловлены неравновесностью процесса стравливания.Видно, что частичное замещение серой селена ведёт к уменьшению сегрегации Ga (Рис. 3, б) .К/с, но его применение требует задействования целого ряда технологических процедур.Основные объекты исследования - отдельные следы МД и дефектовыявляющие растворы.