Технологические основы электроники

Физические основы катодного распыления.Получать пленки из тугоплавких металлов, перспективных для микроэлектроники.На рис.1 представлена последовательность формирования структуры с диэлектрической изоляцией.В результате образуются канавки по замкнутому контуру.Полученную рельефную поверхность окисляют.Далее эту поверхность покрывают толстым слоем кремния методом осаждения.Если исходная пластина содержит эпитаксиальный n+-слой, то транзисторы получаются со скрытым слоем.Рассмотренный процесс диффузии называют изолирующей или разделительной диффузией.В процессе окисления нитридная маска сохраняется.Затем ее стравливают и всю поверхность окисляют.