Механизм роста кристаллитов фуллерита в пленках Sn – C60

Пленки получены методом термического испарения в вакууме.Как известно, причиной роста нитевидных кристаллов являются сжимающие напряжения.В системе накапливаются сжимающие напряжения, которые являются источником энергии роста кристаллов.живое время регистрации; скорость собирания зарядов - v.При повышении концентрации атомов цинка ширина запрещенной зоны увеличивается с скоростью dE.Рис.5. Температурная зависимость электропроводности для пленки с концентрацией атомов цинка Nz.Рис. 2. Рентгенограмма свежеприготовленных пленок C60 (d = 300 нм) - Sn (d = 200 нм) .Методом рентгеноспектрального микроанализа установлено, что кристаллы состоят из углерода.При хранении на воздухе происходит частичное окисление поверхностных слоев.= 200 нм, 22 месяца.