Исследование процессов ионного легирования полупроводниковых материалов

Процесс ионного легирования заключается в ионизации и ускорении до больших скоростей атомов примеси.Физические особенности процесса ионного легирования.Технология ионного легирования Под ред.Зорин Е.И. Ионное легирование полупроводников - М.: Энергия 1975.С другой стороны, ионное легирование имеет недостатки и ограничения.При имплантации используются три вида материалов: аморфные, поли- и монокристаллические.Аморфные и поликристаллические материалы служат в качестве масок при имплантации ионов.В монокристаллических материалах создаются структуры с заданным профилем концентрации примесей.Линейные дефекты в процессе отжига могут изменять свою длину, форму и местоположение в кристалле.Процесс заключается в использовании луча лазера с удельной мощностью равной 500000 Вт/см3.